Bir Intel yöneticisine nazaran, gelecekteki transistör dizaynları, ileri seviye yarı iletken üretiminde gelişmiş litografi ekipmanlarına olan gereksinimi azaltabilir. Litografi sonrası süreçler öne çıkabilir
Günümüzde TSMC üzere firmaların silikon plakalar üzerine son derece küçük devreler basabilmesini sağlayan ASML’nin EUV (aşırı ultraviyole) litografi makineleri ileri düzey çip üretiminin temelini oluşturuyor. Lakin Intel yöneticisi, gelecekte yaygınlaşması beklenen yeni transistör teknolojileri (özellikle GAAFET ve CFET) sayesinde üretim süreçlerinde litografinin değil, litografi sonrası adımların daha kritik hale geleceğini öne sürüyor.
Tegus isimli yatırım araştırma platformunda yer alan ve X (eski ismiyle Twitter) üzerinden paylaşılan bir söyleşide, ismi açıklanmayan bir Intel yöneticisi, gelecekteki transistör dizaynlarının gelişmiş litografi ekipmanlarına olan bağımlılığı azaltacağını ve bunun yerine aşındırma (etching) teknolojilerinin kıymet kazanacağını tabir etti.
Bugünlerde çip üretiminde en çok konuşulan ekipmanlar, ASML’nin EUV ve high NA EUV tarayıcıları üzere litografi makineleri. Bunun nedeni, bu makinelerin hem gelişmiş üretim tekniklerinin temelini oluşturması hem de ihracat kısıtlamalarına tabi olması. Fakat çip üretimi sırf litografi ile sonlu değil; bunu takip eden biriktirme (deposition) ve aşındırma üzere öteki süreçler de sürecin kıymetli modüllerini oluşturuyor.
Litografi, çip dizaynlarının silikon plakalara (wafer) aktarılmasını sağlayan birinci adımdır. Bu süreçten sonra gelen biriktirme ve aşındırma üzere süreçlerle transistörler ve devre yapıları tamamlanır. Biriktirme, plakaya çeşitli gereçlerin eklenmesini sağlarken; aşındırma süreci, bu materyalleri seçici olarak çıkararak istenen desenleri oluşturur.
Yeni transistör dizaynları, öbür süreçlerin kıymetini arttırıyor
Intel yöneticisine nazaran, GAAFET ve CFET gibi yeni transistör dizaynları, çip üretim sürecinde litografi makinelerinin kıymetini azaltabilir. Bu makineler, bilhassa EUV tarayıcıları, plakaya küçük devre dizaynları aktarma yahut yazdırma yetenekleri nedeniyle 7nm ve gelişmiş teknolojilere sahip çipler üretmede kıymetli bir rol oynuyor.
FinFET mimarisi, transistörleri alt kısımdaki yalıtkan yapıya bağlayıp, üzerlerinden geçen bir kapı (gate) ile elektrik akımını denetim eder. GAAFET ise bu kapıyı transistörün tüm kenarlarından çevreler. Daha ileri düzey olan CFET tasarımı ise transistör kümelerini üst üste dizerek birebir yüzey alanına daha fazla transistör yerleştirilmesine imkan tanıyor. Intel yöneticisine nazaran, GAAFET ve CFET dizaynları kapıyı her taraftan sardığından, plakadan fazla malzemeyi çıkarmak büyük değer taşıyor. Bu nedenle üreticiler, daha küçük devre desenleri elde etmek için bir plakanın litografi makinesinde geçirdiği süreyi artırmak yerine, malzemeyi aşındırma yoluyla çıkarmaya daha fazla odaklanacak.
Intel yöneticisine nazaran, bu değişimle birlikte yüksek NA EUV makineleri, geçmişte 7nm ve daha gelişmiş çiplerin üretiminde kritik olan klasik EUV sistemleri kadar belirleyici olmayabilir. Zira artık yoğunluk yalnızca yatay düzlemde değil, dikey tarafta de artırılabiliyor. Bu da asgarî desen boyutuna olan bağımlılığı azaltıyor.
