Samsung Electronics, bellek teknolojilerinde kıymetli bir eşiği aşarak altıncı jenerasyon DRAM (1c DRAM) için seri üretim onayını aldı. Şirketin ileri düzey 10 nm sınıfı üretim sürecinde geliştirdiği bu yeni DRAM teknolojisinin, testlerde yüzde 50 ila yüzde 70 ortasında randıman oranına ulaştığı belirtiliyor. Bu muvaffakiyet, Samsung’un yaklaşık iki yılda bir yeni eser kuşağına geçme planıyla uyumlu ilerlediğini gösteriyor. Ana odak HBM4
Yeni kuşak DRAM’in değeri bilhassa yüksek bant genişliğine sahip bellek (HBM) alanında kendini gösteriyor. Şirket, bu yılın ikinci yarısında HBM4’ün seri üretimine başlamayı planlıyor ve bu süreçte yeni 6. jenerasyon DRAM teknolojisini kullanacak. Mayıs ayında duyurulan hibrit bağlama teknolojisinin de bu belleklerde kullanılacağı tabir edildi. Bu yol, ısı direncini azaltırken ultra geniş bellek arayüzleri sunmayı hedefliyor. Böylelikle yapay zeka ve yüksek performanslı bilgi süreç uygulamalarının artan bant genişliği ve verimlilik gereksinimlerine tahlil getirilmesi amaçlanıyor.
Öte yandan, HBM pazarının mevcut lideri SK hynix, HBM4 geliştirmelerini beşinci kuşak DRAM teknolojisiyle sürdürüyor ve mart ayından bu yana büyük müşterilere HBM4 örnekleri sunuyor. Her iki şirket de seri üretim için emsal vakit dilimlerini hedeflerken, Samsung’un önünde kıymetli bir mahzur bulunuyor: Nvidia’nın HBM4 için yaptığı nitelendirme testleri. Şirketin bu süreci muvaffakiyetle tamamlaması, büyük hacimli tedarik mutabakatları açısından kritik değere sahip. Kaldı ki Samsung, şu anda AMD’ye tedarik sağladığı 12 katmanlı HBM3E bellek eserleri için de Nvidia’dan kalifikasyon onayı bekliyor.
