ABD yaptırımlarıyla gelişmiş çip üretim ekipmanlarına erişimi kısıtlanan Huawei, buna karşın yarı iletken üretiminde ilerlemeye devam ediyor. Şirket, önümüzdeki sene 3nm GAAüretim sürecinde deneme üretimine başlamayı planlıyor. Çip üretimi için SMIC ile çalışıyor
2020 yılına kadar çiplerini Tayvanlı TSMC’ye ürettiren Huawei, ABD tarafından Varlık Listesi’ne alınınca ABD teknolojilerini kullanan tedarikçilerle iş yapması yasaklandı. Bir müddet külfete giren ve elindeki çip stoklarıyla yönetim eden Çinli dev, daha sonra vatandaşı SMIC tarafından 7nm süreciyle üretlien Kirin 9000S yongasıyla geri döndü.
Bu ayın başında şirket, 5nm süreciyle geliştirilen Kirin X90 yongasını içeren HarmonyOS işletim sistemli birinci bilgisayarını duyurdu. Birtakım tahliller, Huawei’nin bu yongayı seri üretmek için SMIC’in N+2 (7nm) süreci ve JCET’in (Jiangsu Changjiang Electronics Technology) 4nm paketleme teknolojisini kullandığını belirtiyor. Lakin gerçek üretim teknolojisinin aslında 7nm düzeyinde olduğu söyleniyor. Performans artışı ise esasen çiplet tasarımı ve gelişmiş paketleme teknolojileri sayesinde sağlanıyor.
SMIC’in en ileri üretim süreci olan 7nm’nin randıman oranının yalnızca %50 civarında olduğu belirtiliyor. Çinli şirket, en gelişmiş çip üretim ekipmanı olan EUV (Aşırı Ultraviyole) makinelerine erişemediği için 5nm’yi DUV (Derin Ultraviyole) litografi makineleriyle çoklu pozlama tekniğiyle elde etmeye çalışıyor. Bu da düşük randımanın değerli nedenlerinden biri.
EUV litografiye bağımlılığı aşmaya çalışıyor
Huawei’nin 5nm teknoloji yol haritası, büsbütün EUV litografi makinelerine bağımlılığını aşmaya odaklanıyor. Şirket, Shanghai Micro Electronics tarafından geliştirilen SSA800 serisi stepper tarama litografi makineleri ile çoklu pozlama yoluyla 5nm çizgi genişliğine ulaşıyor. Aşındırma (etching) makinelerinde ise Naura Technology’nin 5nm aşındırma ekipmanları kullanılıyor. Bu ekipmanlar atomik seviyede hassasiyet sunuyor ve milletlerarası düzeylere kıyasla %15 daha yüksek aşındırma hızına sahip olduğu tez ediliyor.
Ölçüm ekipmanlarında ise, Northern Microelectronics’in elektron demetli ölçüm sistemleri sayesinde nanometre seviyesinde kusur tespitinde yerli tahliller devreye alındı. Özetle, Huawei’nin 5nm atılımı Çin’deki yarı iletken ekipman, materyal ve tasarım araçları üzere tüm bölüm zincirinin gelişimini tetiklemiş durumda.
3nm yongalar üzerinde çalışmalar başladı
Huawei’nin içerisindeki kaynaklara nazaran, şirket şimdiden 3nm yonga geliştirme çalışmalarını başlattı. Burada GAA (Gate-All-Around) transistör teknolojisi ve iki boyutlu materyaller kullanılacak. Şirket, deneme üretimine 2026 yılında başlamayı hedefliyor. Tıpkı vakitte, şirketin karbon nanotüp tabanlı 3nm karbon bazlı yongası da laboratuvar doğrulamasını geçmiş durumda ve SMIC tesislerinde üretim sınırına uyarlama çalışmaları sürüyor.
Huawei’nin EUV ekipmanları olmadan 3nm’de yüksek randımana nasıl ulaşacağı soru işaret olsa da, şirketin bu taraftaki çalışmaları ve hırsı takdir edilmeyi hakediyor.
