
2nm GAA transistörler muvaffakiyetle üretildi
Rapidus tarafından yapılan açıklamada, gate-all-around (GAA) mimarisine sahip 2nm test yongalarının üretildiği ve bu örneklerin beklenen elektriksel performans kıymetlerine ulaştığı belirtildi. Bu gelişme, hem kullanılan üretim araçlarının yanlışsız çalıştığını hem de Rapidus’un 2nm süreciyle ilgili Ar-Ge çalışmalarının yolunda gittiğini gösteriyor.
Test üretimi, transistörlerin eşik voltajı, iletim akımı, sızıntı akımı, geçiş eğimi üzere temel elektriksel parametrelerinin ölçülmesini içeriyor. Bu bilgiler, teknolojinin performans amaçlarına ulaşıp ulaşmadığını görmek açısından büyük ehemmiyet taşıyor. Rapidus, bu sonuçları kamuoyuyla paylaşmasa da üretim sınırında test yongalarının dolaşıyor olması bile sürecin muvaffakiyetle ilerlediğini gösteriyor.
Rapidus’un IIM-1 fabrikasının inşası Eylül 2023’te başlamıştı. Pak oda 2024 yılında tamamlandı ve Haziran 2025 prestijiyle 200’den fazla üretim aracı, DUV ve EUV litografi sistemleri dahil olmak üzere devreye alındı. İleri seviye EUV araçları Aralık 2024’te kuruldu ve Nisan 2025’e kadar başarılı formda kullanılarak birinci kalıplar oluşturuldu.
Her adımda hassas kontrol

Ancak Rapidus, bu yaklaşımı tüm üretim adımları için uygulayarak her plakada azamî hassasiyet ve denetim sağlamayı hedefliyor. Böylelikle gerçek vakitli yanılgı tespiti, parametre optimizasyonu ve data tabanlı üretim iyileştirmeleri mümkün hale geliyor.
Tabii bu sistemin dezavantajları da var. Plakalar tek tek işlendiği için üretim müddeti uzayabiliyor ve maliyetler artabiliyor. Ayrıyeten gereken ekipmanlar daha karmaşık ve kıymetli. Lakin Rapidus, uzun vadede düşük yanılgı oranı, yüksek randıman ve esnek üretim kabiliyeti sayesinde bu usulün 2nm ve sonrasındaki teknolojilerde avantaj sağlayacağına inanıyor.
Bu ortada Rapidus, müşterilerine takviye olmak gayesiyle birinci süreç geliştirme kiti (PDK) versiyonunu 2026’nın birinci çeyreğinde sunmayı planlıyor.