LG, yeni bir teşebbüsle yarı iletken pazarına adım atmaya hazırlanıyor. Şirketin Üretim Teknolojileri Araştırma Enstitüsü, yüksek bant genişlikli bellek (HBM) tahlilleri için özel olarak tasarlanmış hibrit ilişki (hybrid bonding) makinesi geliştirmeye başladı. İç kaynaklara nazaran, 2028 prestijiyle ilk üretim örneklerinin sevkiyata hazır hale gelmesi hedefleniyor. LG, yarı iletken pazarına giriş yapıyor
Kaçıranlar için hibrit irtibat, klasik termal sıkıştırmalı lehimleme metotlarının yerini alabilecek yeni jenerasyon bir teknik olarak biliniyor. Bu usulde lehim küreleri yerine, yonga yüzeyinde bulunan bakır pedler nano ölçekte düzleştiriliyor ve oda sıcaklığında direkt elektriksel temas sağlanıyor. Bu da daha ince yığın yapıları, daha düşük sıcaklıkta çalışma ve daha yüksek elektriksel performans manasına geliyor.
Mevcut termal sıkıştırma prosedürleriyle HBM bellekte sekiz kata kadar istifleme mümkünken, bu sayı 12 katı geçtiğinde lehim adımı bozulmaya başlıyor. Bu noktada hibrit ilişki teknolojisi, bilhassa 2026 sonrasında beklenen HBM4 ve HBM4E modelleri için kritik değer taşıyor.
Hibrit temas teknolojisi şu anda yalnızca Hollandalı BESI ve ABD’li Applied Materials üzere birkaç tedarikçi tarafından ticari olarak sunuluyor. Fakat bu firmaların Güney Kore’de direkt bir operasyonu bulunmuyor. Yerli rakipler ortasında yer alan Samsung Semes, Hanmi Semiconductor ve Hanwha Semitec ise hala prototip yahut pilot üretim evresinde. LG’nin 2028 amacı tutarsa, birinci müşterileri ortasında SK Hynix’in HBM4E genişleme süreciyle paralel ilerlemesi bekleniyor. Birebir periyotta Samsung’un HBM4 risk sınırı devreye girebilir.
