
Samsung’un HBM stratejisi netleşti
Yeni raporlara nazaran Samsung, Pyeongtaek’teki P4 tesisinde kurduğu üretim sınırında 1c DRAM için hazırlıkları tamamlanmak üzere. Şirketin bu yongalarda %30-40 randıman elde ettiği, lakin bu oranın süratle artışa geçtiği aktarılıyor.
Kaçıranlar için 1c DRAM, Samsung’un daha evvel HBM3E için kullandığı 1a DRAM’den iki jenerasyon ileri seviyede. Kritik nokta ise, rakipleri SK hynix ve Micron hâlihazırda 1b DRAM tabanlı HBM3E sunarken, Samsung’un direkt HBM4’e odaklanması. Yeni DRAM dizaynında çevresel devre çizgi genişliği artırılarak daha stabil bir yapı hedeflenmiş; bu da maliyetten fazla güvenilirliği önceleyen bir strateji manasına geliyor.

Son olarak daha evvel Samsung Semiconductor Lider Yardımcısı Jeon Young-hyun, Samsung’un HBM pazarındaki gecikmeyi kabul ettiğini lakin HBM4 ve özelleştirilmiş tahlillerle bu kaybı telafi edecek altyapının kurulduğunu vurgulamıştı. Jeon’a nazaran şirket artık yeni jenerasyon belleklerde emsal kusurları tekrarlamamak için etaplı ve planlı bir formda ilerliyor.
Samsung’un bu agresif tekrar yapılanması, sadece HBM4 pazarıyla hudutlu değil. Keza şirket, DRAM dizaynını ve üretim süreçlerini entegre biçimde denetim ederek, rakiplerinin bilakis TSMC üzere harici üreticilere bağımlı kalmadan özelleştirilmiş taleplere direkt karşılık verebilecek bir pozisyona gelmeyi hedefliyor. Bu da, şirketi yapay zeka pazarında daha rekabetçi bir oyuncu hâline getirebilir.