
Samsung, Taylor fabrikasının inşaatına 2022 yılında 17 milyar dolarlık yatırımla başlamıştı. 2024’te bu yatırım miktarını 44 milyar dolara çıkararak, ek bir ileri düzey fabrika ve Ar-Ge merkezi kurma kararı aldı. Bu atılım, geçen yıl Aralık ayında çok sayıda gecikme ve aksaklığa rağmen tamamlanan 6,6 milyar dolarlık bir CHIPS Yasası sübvansiyonuyla destekleniyor.
Ana müteahhit Samsung C&T, inşaatın ilerlediğini ve Mart 2024 itibariyle projenin %92’sinin tamamlandığını açıkladı. Başlangıçta Nisan ayında bitirilmesi planlanan inşaat, resmi dokümanlarda Ekim ayına ertelenmiş görünüyor.
Talep eksikliği gecikmenin temel nedeni
Şirket gecikmeye dair resmi bir neden açıklamasa da, birçok kaynak gecikmenin temelinde düşük talebin yattığını belirtiyor. Başlangıçta Taylor Fab’ın 4nm süreç düğümü için çipler üretmesi planlanmıştı fakat daha sonra TSMC ve Intel ile rekabet edebilmek için 2nm’ye yükseltildi.
Bir tedarik zinciri yöneticisinin açıklamasına nazaran, ABD’de çiplere olan mahallî talep zayıf durumda ve Samsung’un birkaç yıl evvel planladığı süreçler artık günümüz pazarının gereksinimlerine uymuyor. Samsung, siteyi 2nm üretim sürecine geçirmek istediğini duyurmuş olsa da, bu süreç hem vakit hem kaynak hem de maliyet açısından epeyce şiddetli.
Bu durum, Tayvanlı rakibi TSMC’nin Arizona’daki Fab 21 tesisinde 4nm üretime çoktan başlamış olmasıyla büyük bir tezat oluşturuyor. Apple, AMD, Broadcom, Nvidia ve Qualcomm üzere büyük ABD’li müşterilere üretim yapan TSMC’nin kapasitesi 2027’ye kadar büsbütün rezerve edilmiş durumda. TSMC, küresel dökümhane pazarında %68’lik hisseyle başkan pozisyonda yer alırken, Samsung sadece %7,7 ile ikinci sırada geliyor.
Kurulum sürecinin zorlukları
Samsung, 1996’dan bu yana Austin, Texas’ta bir öteki üretim tesisi işletiyor olsa da, Taylor’daki yeni tesisin faaliyete geçirilmesi büyük zorluklar içeriyor. Yeni bir üretim tesisi inşa etmenin yanı sıra, tedarik zinciri kurmak, yetişmiş iş gücü bulmak ve üretilecek çipler için müşteri kazanmak gerekiyor.
En kıymetli ve maliyetli adımlardan biri ise, tesisi ekipmanlarla donatma süreci. Bu etapta, bilhassa EUV (Aşırı Ultraviyole Litografi) makinelerinin konseyimi büyük bir hassasiyet ve uzmanlık gerektiriyor. Bunun yanında, çip üretimi için gerekli olan aşındırma, kaplama üzere birçok karmaşık süreç de bulunuyor. TSMC’nin toplam 42 milyar dolarlık yatırımının değerli bir kısmı yalnızca bu ekipman yerleştirme süreci için harcanıyor.
Samsung’un ise üretim verimliliği problemleri yaşadığı ve bu nedenle Taylor alanındaki kimi kıymetli çalışanlarını geri çektiği belirtiliyor.
Küresel riskler de etkili
Samsung’un karşılaştığı zorluklar yalnızca teknik değil. Global çapta yaşanan jeopolitik gelişmeler, hem TSMC’yi hem Samsung’u etkiliyor. Yapay zeka ve bilgi merkezi pazarlarında büyüme devam etse de, tüketici elektroniği ve otomotiv dalında sakinlik devam ediyor.
Trendforce analisti Joanne Chiao, “Verimlilik sıkıntıları kısmen çözülmüş olsa da, ABD’nin Çin’e yönelik ileri teknoloji çip üretim kısıtlamaları Samsung’un kapasite kullanımını dal ortalamasının altında bırakıyor.” dedi.
Trump devrinde başlatılan gümrük tarifeleri, bilhassa tüketici elektroniği ve otomotiv bölümlerinde belirsizlik yarattı. Bu da çip talebini olumsuz etkiledi. Çin ise bu gelişmeler karşısında kendi yarı iletken üretimini artırmaya odaklandı ve devlet dayanaklı yeni oyuncular piyasaya girmeye başladı. Çin’in bu süratle devam etmesi durumunda, 2030’a kadar çip üretim kapasitesinde dünya lideri olması bekleniyor.
2026’ya kadar faaliyete geçmesi bekleniyor
Tüm bu mahzurlara karşın Samsung, Taylor fabrikasını 2026’ya kadar faaliyete geçirmeyi planlıyor. Nikkei Asia’nın aktardığına nazaran, şirket açılış için kesin bir tarih vermedi ve ekipman heyetimi yahut müşteri eksikliği hakkında açıklama yapmadı. Lakin CHIPS Act dayanaklarından faydalanmak için fabrikanın faaliyete geçmesi koşul.
Şu anda Taylor Fab için müşterileri olmasa da, Samsung açılışını lakin muhakkak bir müddet erteleyebilir. Zira bu durumda, TSMC’nin gerisinde kalmanın yanında, yatırılan milyarlarca dolar da boşa gitmiş olur.