Güney Kore merkezli yarı iletken devi SK hynix, Japonya’nın Kyoto kentinde düzenlenen IEEE VLSI 2025 Sempozyumu’nda önümüzdeki 30 yıla damga vuracak yeni DRAM teknolojisi yol haritasını duyurdu. Şirketin Teknoloji Yöneticisi (CTO) Cha Seon Yong’un paylaştığı vizyonda, performans ve kapasite hudutlarını zorlayan yeni jenerasyon dikey kapı (4F² VG) mimarisi ile 3D DRAM teknolojileri öne çıktı. 4F2VG teknolojisi ile tepe hedefi
Cha, konuşmasında günümüz DRAM üretim teknolojilerinin fizikî hudutlara dayandığını vurgularken, bu pürüzleri aşmak için 10nm altı üretim süreçlerine yönelik mimari, materyal ve bileşenlerde radikal yeniliklere gidileceğini belirtti. Şirketin bu noktadaki tahlili ise 4F2VG (Vertical Gate, Dikey Kapı) teknolojisi.
4F2, bir bellek hücresinin kapladığı alanı tabir ediyor. Bugünün yaygın mimarisi olan 6F2 yapısına kıyasla daha ağır entegrasyon sağlayan 4F2 hücre tasarımı, daha fazla hücrenin tıpkı alana yerleştirilmesine imkan tanıyor. Bu tasarım, dikey olarak pozisyonlandırılmış geçit yapısıyla (Vertical Gate), hücrenin devre kısmını altta konumlandırarak hem alan verimliliğini hem de elektriksel performansı artırıyor.
SK hynix’in uzun vadeli stratejisinde 3D DRAM teknolojisi ise “ana yapı taşı” olarak tanımlanıyor. Katmanlı yapısıyla hücreleri dikey istikamette istifleyen bu teknoloji, mevcut yatay düzlemde hududa ulaşan DRAM gelişimini yine ivmelendirecek. Cha, katman sayısı arttıkça üretim maliyetlerinin de yükseldiği istikametindeki dal tasalarına rağmen, bu durumun daima yenilikle aşılabileceğini söz etti.
