
High-NA EUV ana akım haline geliyor
SK Hynix, M16 üretim tesisinde ASML’in High-NA TWINSCAN EXE:5200B sistemini entegre ederek DRAM üretiminde yeni bir standarda geçmiş olacak. Şirketin blog paylaşımına nazaran, bu sistem mevcut EUV teknolojisine kıyasla transistörleri 1,7 kat daha küçük basabiliyor ve transistör yoğunluğunu 2,9 kat artırabiliyor. Ayrıyeten sistemin NA pahası yüzde 40 artışla 0,33’ten 0,55’e yükselmiş durumda.
Yeni sistemin benimsenmesiyle SK Hynix, mevcut EUV üretim süreçlerini sadeleştirmeyi ve gelecek kuşak bellek geliştirme sürecini hızlandırmayı hedefliyor. Bu sayede eser performansı ve maliyet verimliliği artırılırken şirket yüksek katma bedelli bellek pazarındaki pozisyonunu güçlendirmeyi planlıyor.
Daha evvelki raporlarda, SK Hynix’in DRAM segmentinde High-NA EUV dizaynlarına hakikat ilerlediği ve altı EUV katmanı ile üretim yapmayı hedeflediği belirtilmişti. SK Hynix’in bu atılımı, Nvidia ve AMD üzere müşteriler için tercih edilen DRAM üreticisi pozisyonunu pekiştirirken Samsung’un dal liderliğini kısa müddette geride bırakmasını sağladı.